RF FET、MOSFET

RF トランジスタ、FET、および MOSFET は、デバイスを流れる電流が電界によって制御される 3 つの端子を備えた半導体デバイスです。このファミリーのデバイスは、無線周波数を使用する機器で使用されるように設計されています。信号または電力を増幅またはスイッチングするためのトランジスタのタイプには、E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N チャネル、P チャネル、pHEMT、炭化シリコン、2 N チャネル、および 4 N チャネルが含まれます。