Ampleon_BLP10H605AZ
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Ampleon
BLP10H605AZ

285-BLP10H605AZ
PDFデータシート
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229, HVSON-12

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

Number of Terminals
12
Terminal Position
DUAL
JEDEC Package Code
MO-229
要素数
2
RoHS
Yes
Eccn Code
EAR99
Lead Free
Yes
REACH
unknown
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FAQ

BLP10H605AZ とは何ですか?
BLP10H605AZ は Ampleon の RF FETs, MOSFETs です。この製品ページでは、主な仕様、価格情報、在庫状況、お問い合わせ方法を確認できます。
BLP10H605AZ はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
BLP10H605AZ は現在在庫がありますか?
BLP10H605AZ に関連部品や代替部品はありますか?
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