Infineon Technologies_BSZ088N03LSGATMA1
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Infineon Technologies
BSZ088N03LSGATMA1

278-BSZ088N03LSGATMA1
PDFデータシート
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
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技術仕様

FETタイプ
N-Channel
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1700 pF @ 15 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21 nC @ 10 V
製品の状態
Not For New Designs
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30 V
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
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FAQ

BSZ088N03LSGATMA1 の実装方式は何ですか?
現在の製品仕様によると、BSZ088N03LSGATMA1 の実装方式は Surface Mount です。
BSZ088N03LSGATMA1 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
BSZ088N03LSGATMA1 が対応する動作温度範囲は?
BSZ088N03LSGATMA1 に関連部品や代替部品はありますか?
BSZ088N03LSGATMA1 は現在在庫がありますか?
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