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Infineon Technologies
IPB65R099C6ATMA1
278-IPB65R099C6ATMA1
PDFデータシート
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
FETタイプ
N-Channel
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2780 pF @ 100 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
127 nC @ 10 V
製品の状態
Discontinued at Digi-Key
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
650 V
消費電力(最大)
278W (Tc)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
FAQ
IPB65R099C6ATMA1 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
IPB65R099C6ATMA1 は現在 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB パッケージ / ケースで提供されています。
IPB65R099C6ATMA1 の実装方式は何ですか？
IPB65R099C6ATMA1 とは何ですか？
IPB65R099C6ATMA1 が対応する動作温度範囲は？
IPB65R099C6ATMA1 に関連部品や代替部品はありますか？
簡単な見積もり
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