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Microchip Technology
1N5809US
280-1N5809US
PDFデータシート
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
34 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Peak Reverse Recovery Time (ns)
30
逆回復時間 (trr)
30 ns
構成
Single
PCB changed
2
HTS
8541.10.00.50
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
製品の状態
Active
FAQ
1N5809US の標準リードタイムはどれくらいですか？
1N5809US の現在表示されている標準リードタイムは 34 Weeks です。
1N5809US は現在在庫がありますか？
1N5809US に関連部品や代替部品はありますか？
1N5809US の実装方式は何ですか？
1N5809US が対応する動作温度範囲は？
簡単な見積もり
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