Microchip Technology_MXLPLAD30KP51AE3
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Microchip Technology
MXLPLAD30KP51AE3

144-MXLPLAD30KP51AE3
PDFデータシート
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

電流 - ピークパルス (10/1000µs)
366A
電圧 - 破壊(最小)
56.7V
製品の状態
Active
パワー - ピークパルス
30000W (30kW)
サプライヤーデバイスパッケージ
PLAD
パッケージ/ケース
Nonstandard SMD
電圧 - クランプ(最大)@ Ipp
82.4V
電圧 - 逆スタンドオフ(標準)
51V
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FAQ

MXLPLAD30KP51AE3 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
MXLPLAD30KP51AE3 に記載されている電圧関連仕様は 56.7V です。
MXLPLAD30KP51AE3 が対応する動作温度範囲は?
MXLPLAD30KP51AE3 の実装方式は何ですか?
MXLPLAD30KP51AE3 に関連部品や代替部品はありますか?
MXLPLAD30KP51AE3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
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