Microsemi_APT10M09B2VFRG
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Microsemi
APT10M09B2VFRG

278-APT10M09B2VFRG
PDFデータシート
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

Package/Case
TO-247-3
Continuous Drain Current (ID)
100A
Current Rating
100A
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
100V
入力容量
9.875nF
Lead Free
Lead Free
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
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FAQ

APT10M09B2VFRG の実装方式は何ですか?
現在の製品仕様によると、APT10M09B2VFRG の実装方式は Through Hole です。
APT10M09B2VFRG が対応する動作温度範囲は?
APT10M09B2VFRG は現在在庫がありますか?
APT10M09B2VFRG はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
APT10M09B2VFRG に関連部品や代替部品はありますか?
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