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JANSR2N7389
278-JANSR2N7389
PDFデータシート
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Continuous Drain Current (ID)
6.5A
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
100V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
25W
Mount
Through Hole
Packaging
Tray
FAQ
JANSR2N7389 が対応する動作温度範囲は？
JANSR2N7389 の動作温度範囲は 150°C と記載されています。
JANSR2N7389 の実装方式は何ですか？
JANSR2N7389 は現在在庫がありますか？
JANSR2N7389 とは何ですか？
JANSR2N7389 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
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