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SD1013-03
283-SD1013-03
PDFデータシート
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
M
Collector Base Voltage (VCBO)
65V
Collector Emitter Breakdown Voltage
35V
得
10dB
Max Collector Current
1A
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-65°C
Max Power Dissipation
13W
FAQ
SD1013-03 の実装方式は何ですか？
現在の製品仕様によると、SD1013-03 の実装方式は Chassis Mount, Screw です。
SD1013-03 とは何ですか？
SD1013-03 が対応する動作温度範囲は？
SD1013-03 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
SD1013-03 は現在在庫がありますか？
簡単な見積もり
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