Microsemi_UTV8100B
Microsemi_UTV8100B
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Microsemi
UTV8100B

283-UTV8100B
PDFデータシート
RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55RT, 4 PIN

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Quality Policy
ISO45001
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Original

技術仕様

Collector Base Voltage (VCBO)
65V
Collector Emitter Breakdown Voltage
60V
9.5dB
Max Collector Current
15A
Max Frequency
860MHz
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-40°C
Max Power Dissipation
290W
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FAQ

UTV8100B にはどの電圧仕様が記載されていますか?
UTV8100B に記載されている電圧関連仕様は 65V です。
UTV8100B の実装方式は何ですか?
UTV8100B が対応する動作温度範囲は?
UTV8100B に関連部品や代替部品はありますか?
UTV8100B は現在在庫がありますか?
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