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技術仕様
Package/Case
TO-243AA
Collector Base Voltage (VCBO)
-50V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector Emitter Saturation Voltage
-200mV
Collector-emitter Voltage-Max
340mV
Contact Plating
Tin, Matte
Emitter Base Voltage (VEBO)
-6V
ゲイン帯域幅積
360MHz
FAQ
2SA2013-TD-E とは何ですか？
2SA2013-TD-E は onsemi の Single Bipolar Transistors です。この製品ページでは、主な仕様、価格情報、在庫状況、お問い合わせ方法を確認できます。
2SA2013-TD-E にはどの電圧仕様が記載されていますか？
2SA2013-TD-E には数量別価格がありますか？
2SA2013-TD-E に関連部品や代替部品はありますか？
2SA2013-TD-E の標準リードタイムはどれくらいですか？
可用性
(在庫あり :
1091 )
| 量 | 単価 | 外貨価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.55715 | $5.57 |
| 30+ | $0.49543 | $14.86 |
| 100+ | $0.41828 | $41.83 |
| 500+ | $0.33772 | $168.86 |
| 1000+ | $0.31715 | $317.15 |
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