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onsemi
4N35TVM
903-4N35TVM
PDFデータシート
Phototransistor Optocoupler, 5.25kV Isolation, DIP, 60mA
10 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
DIP
Collector Emitter Saturation Voltage
300mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300mV
Collector-emitter Voltage-Max
300mV
Contact Plating
Tin, Matte
Fall Time
2us
Forward Current
60mA
身長
5.08mm
FAQ
4N35TVM の実装方式は何ですか？
現在の製品仕様によると、4N35TVM の実装方式は Through Hole です。
4N35TVM の標準リードタイムはどれくらいですか？
4N35TVM とは何ですか？
4N35TVM にはどの電圧仕様が記載されていますか？
4N35TVM が対応する動作温度範囲は？
簡単な見積もり
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