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FDD6N25TF

278-FDD6N25TF
PDFデータシート
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

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ISO45001
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技術仕様

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
4.4A
Drain to Source Breakdown Voltage
250V
Drain to Source Resistance
900mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
250V
Fall Time
12ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
入力容量
250pF
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FAQ

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