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FDMS6673BZ

278-FDMS6673BZ
PDFデータシート
P-Channel MOSFET -30V, 6.8mR, 15.2A, Surface Mount
9 Weeks

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APAC
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ISO45001
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技術仕様

Continuous Drain Current (ID)
15.2A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Drain to Source Resistance
6.8mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30V
Element Configuration
Single
Fall Time
79ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
身長
1.05mm
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FAQ

FDMS6673BZ にはどの電圧仕様が記載されていますか?
FDMS6673BZ に記載されている電圧関連仕様は -30V です。
FDMS6673BZ の標準リードタイムはどれくらいですか?
FDMS6673BZ が対応する動作温度範囲は?
FDMS6673BZ の実装方式は何ですか?
FDMS6673BZ はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
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