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FDS6675BZ
278-FDS6675BZ
PDFデータシート
P-Channel MOSFET -30V, 11A, 13mΩ, SOIC, SMT
45 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質技術仕様
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Drain to Source Resistance
10.8mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30V
Drain-source On Resistance-Max
21.8MR
Dual Supply Voltage
-30V
Element Configuration
Single
FAQ
FDS6675BZ にはどの電圧仕様が記載されていますか?
FDS6675BZ に記載されている電圧関連仕様は -30V です。
FDS6675BZ の標準リードタイムはどれくらいですか?
FDS6675BZ は現在在庫がありますか?
FDS6675BZ に関連部品や代替部品はありますか?
FDS6675BZ には数量別価格がありますか?



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