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FDS6675BZ

278-FDS6675BZ
PDFデータシート
P-Channel MOSFET -30V, 11A, 13mΩ, SOIC, SMT
45 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Drain to Source Resistance
10.8mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30V
Drain-source On Resistance-Max
21.8MR
Dual Supply Voltage
-30V
Element Configuration
Single
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FAQ

FDS6675BZ にはどの電圧仕様が記載されていますか?
FDS6675BZ に記載されている電圧関連仕様は -30V です。
FDS6675BZ の標準リードタイムはどれくらいですか?
FDS6675BZ は現在在庫がありますか?
FDS6675BZ に関連部品や代替部品はありますか?
FDS6675BZ には数量別価格がありますか?
可用性 (在庫あり : 2356 )
単価 外貨価格
10+ $0.62743 $6.27
30+ $0.55715 $16.71
100+ $0.48685 $48.69
500+ $0.40115 $200.58
1000+ $0.37885 $378.85
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