onsemi_FQD4P25TM-WS
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FQD4P25TM-WS

278-FQD4P25TM-WS
PDFデータシート
P-Channel MOSFET -250V, -3.1A, 2.1R, TO-252 DPAK

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
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技術仕様

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
3.1A
Drain to Source Breakdown Voltage
-250V
Drain to Source Resistance
2.1R
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
250V
Drain-source On Resistance-Max
2.1R
Element Configuration
Single
Fall Time
27ns
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FAQ

FQD4P25TM-WS が対応する動作温度範囲は?
FQD4P25TM-WS の動作温度範囲は 150°C と記載されています。
FQD4P25TM-WS にはどの電圧仕様が記載されていますか?
FQD4P25TM-WS はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
FQD4P25TM-WS は現在在庫がありますか?
FQD4P25TM-WS とは何ですか?
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