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FQD6N50CTM_F080

278-FQD6N50CTM_F080
PDFデータシート
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

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APAC
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ISO45001
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技術仕様

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
4.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
1.2R
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
500V
Fall Time
45ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
入力容量
700pF
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FAQ

FQD6N50CTM_F080 が対応する動作温度範囲は?
FQD6N50CTM_F080 の動作温度範囲は 150°C と記載されています。
FQD6N50CTM_F080 の実装方式は何ですか?
FQD6N50CTM_F080 に関連部品や代替部品はありますか?
FQD6N50CTM_F080 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
FQD6N50CTM_F080 とは何ですか?
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