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FQD7N10TM

278-FQD7N10TM
PDFデータシート
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
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技術仕様

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
5.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Drain to Source Resistance
350mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
100V
Fall Time
19ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
入力容量
250pF
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FAQ

FQD7N10TM の実装方式は何ですか?
現在の製品仕様によると、FQD7N10TM の実装方式は Surface Mount です。
FQD7N10TM は現在在庫がありますか?
FQD7N10TM にはどの電圧仕様が記載されていますか?
FQD7N10TM が対応する動作温度範囲は?
FQD7N10TM に関連部品や代替部品はありますか?
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