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FQU4N50TU-WS
278-FQU4N50TU-WS
PDFデータシート
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 2.6 A, 2.7 Ω, IPAK, TO-251 3L (IPAK), 5040-TUBE
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
2.6A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
2.7R
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
500V
Element Configuration
Single
Fall Time
30ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
FQU4N50TU-WS が対応する動作温度範囲は？
FQU4N50TU-WS の動作温度範囲は 150°C と記載されています。
FQU4N50TU-WS にはどの電圧仕様が記載されていますか？
FQU4N50TU-WS に関連部品や代替部品はありますか？
FQU4N50TU-WS は現在在庫がありますか？
FQU4N50TU-WS はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
簡単な見積もり
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