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MJD350T4GN

2087-MJD350T4GN
Bipolar Transistors - BJT 0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

取り付けスタイル
SMD/SMT
構成
Single
ECCN
EAR99
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
500 mA
RoHS
RoHS Compliant
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Emitter- Base Voltage VEBO
3 V
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FAQ

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