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MJD50
276-MJD50
PDFデータシート
1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 75-TUBE
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質技術仕様
Package/Case
TO-252-3
Collector Base Voltage (VCBO)
500V
Collector Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector Emitter Saturation Voltage
1V
Collector-emitter Voltage-Max
1V
Current Rating
1A
Emitter Base Voltage (VEBO)
5V
ゲイン帯域幅積
10MHz
FAQ
MJD50 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
MJD50 に記載されている電圧関連仕様は 500V です。
MJD50 は現在在庫がありますか?
MJD50 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
MJD50 に関連部品や代替部品はありますか?
MJD50 が対応する動作温度範囲は?



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