onsemi_MSB710-RT1G
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MSB710-RT1G

276-MSB710-RT1G
PDFデータシート
Dual PNP Bipolar Transistor, SC-59 3 LEAD, 3000-REEL

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

Package/Case
TO-236-3
Collector Base Voltage (VCBO)
-50V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector Emitter Saturation Voltage
-600mV
Collector-emitter Voltage-Max
600mV
Current Rating
-500mA
Emitter Base Voltage (VEBO)
7V
hFE Min
120
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FAQ

MSB710-RT1G が対応する動作温度範囲は?
MSB710-RT1G の動作温度範囲は 150°C と記載されています。
MSB710-RT1G は現在在庫がありますか?
MSB710-RT1G とは何ですか?
MSB710-RT1G にはどの電圧仕様が記載されていますか?
MSB710-RT1G の実装方式は何ですか?
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