onsemi_NTD4856N-1G
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NTD4856N-1G

278-NTD4856N-1G
PDFデータシート
Power MOSFET 25V 89A 4.7 mOhm Single N-Channel DPAK, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

Package/Case
DPAK
Continuous Drain Current (ID)
89A
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Drain to Source Resistance
5.3mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
25V
Element Configuration
Single
Fall Time
7.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
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FAQ

NTD4856N-1G が対応する動作温度範囲は?
NTD4856N-1G の動作温度範囲は 175°C と記載されています。
NTD4856N-1G にはどの電圧仕様が記載されていますか?
NTD4856N-1G はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
NTD4856N-1G は現在在庫がありますか?
NTD4856N-1G とは何ですか?
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