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NTMD6N04R2G
289-NTMD6N04R2G
PDFデータシート
Power MOSFET 40V 4.6A 34 mOhm Dual N-Channel SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
5.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Drain to Source Resistance
34mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30V
Element Configuration
Dual
Fall Time
35ns
FETタイプ
N and P-Channel
FAQ
NTMD6N04R2G はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
NTMD6N04R2G は現在 SOIC パッケージ / ケースで提供されています。
NTMD6N04R2G とは何ですか？
NTMD6N04R2G は現在在庫がありますか？
NTMD6N04R2G に関連部品や代替部品はありますか？
NTMD6N04R2G にはどの電圧仕様が記載されていますか？
簡単な見積もり
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