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ROHM Semiconductor
RQ3E150MNTB1
278-RQ3E150MNTB1
PDFデータシート
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
16 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
FETタイプ
N-Channel
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100 pF @ 15 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20 nC @ 10 V
製品の状態
Not For New Designs
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSMT (3.2x3)
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30 V
消費電力(最大)
2W (Ta)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
FAQ
RQ3E150MNTB1 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
RQ3E150MNTB1 に記載されている電圧関連仕様は 30 V です。
RQ3E150MNTB1 とは何ですか？
RQ3E150MNTB1 の実装方式は何ですか？
RQ3E150MNTB1 の標準リードタイムはどれくらいですか？
RQ3E150MNTB1 は現在在庫がありますか？
簡単な見積もり
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