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STMicroelectronics
SCT025H120G3-7
2088-SCT025H120G3-7
PDFデータシート
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
32 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
取り付けスタイル
SMD/SMT
構成
Single
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 22 V
Id - Continuous Drain Current
55 A
製品
SiC MOSFETS
Typical Turn-Off Delay Time
48 ns
Transistor Polarity
N-Channel
Channel Mode
Enhancement
FAQ
SCT025H120G3-7 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
SCT025H120G3-7 に記載されている電圧関連仕様は - 10 V, + 22 V です。
SCT025H120G3-7 とは何ですか？
SCT025H120G3-7 に関連部品や代替部品はありますか？
SCT025H120G3-7 が対応する動作温度範囲は？
SCT025H120G3-7 の標準リードタイムはどれくらいですか？
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