STMicroelectronics_STB11N52K3
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STMicroelectronics
STB11N52K3

278-STB11N52K3
PDFデータシート
525V 10A N-CH MOSFET, 510mR RdsOn, TO-263 D2PAK

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ISO45001
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技術仕様

Package/Case
TO-263
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
525V
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
525V
Drain-source On Resistance-Max
410MR
Fall Time
42ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
身長
4.6mm
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FAQ

STB11N52K3 とは何ですか?
STB11N52K3 は STMicroelectronics の Single FETs, MOSFETs です。この製品ページでは、主な仕様、価格情報、在庫状況、お問い合わせ方法を確認できます。
STB11N52K3 の実装方式は何ですか?
STB11N52K3 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
STB11N52K3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
STB11N52K3 が対応する動作温度範囲は?
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