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STMicroelectronics
STB11N52K3
278-STB11N52K3
PDFデータシート
525V 10A N-CH MOSFET, 510mR RdsOn, TO-263 D2PAK
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
TO-263
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
525V
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
525V
Drain-source On Resistance-Max
410MR
Fall Time
42ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
身長
4.6mm
FAQ
STB11N52K3 に関連部品や代替部品はありますか？
はい。対応する製品データがある場合、このページに関連部品または代替部品が表示されることがあります。
STB11N52K3 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
STB11N52K3 の実装方式は何ですか？
STB11N52K3 は現在在庫がありますか？
STB11N52K3 が対応する動作温度範囲は？
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