STMicroelectronics_STB11NM60-1
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STMicroelectronics
STB11NM60-1

278-STB11NM60-1
PDFデータシート
600V N-CH MOSFET, 11A, 450mR, I2PAK Power Transistor

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技術仕様

Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
11A
Current Rating
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
650V
Fall Time
11ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
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FAQ

STB11NM60-1 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
STB11NM60-1 に記載されている電圧関連仕様は 600V です。
STB11NM60-1 が対応する動作温度範囲は?
STB11NM60-1 とは何ですか?
STB11NM60-1 に関連部品や代替部品はありますか?
STB11NM60-1 の実装方式は何ですか?
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