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STMicroelectronics
STB12NM50ND
278-STB12NM50ND
500V 11A N-CH MOSFET D2PAK, 290mR Rds(on)
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
380mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
500V
Drain-source On Resistance-Max
290mR
Fall Time
17ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
STB12NM50ND にはどの電圧仕様が記載されていますか？
STB12NM50ND に記載されている電圧関連仕様は 500V です。
STB12NM50ND が対応する動作温度範囲は？
STB12NM50ND とは何ですか？
STB12NM50ND はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
STB12NM50ND の実装方式は何ですか？
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