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STMicroelectronics
STB18NM80
278-STB18NM80
PDFデータシート
800V N-CH MOSFET, 17A, 295mR Rds On, D2PAK
13 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
17A
Drain to Source Breakdown Voltage
800V
Drain to Source Resistance
295mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
800V
Drain-source On Resistance-Max
295mR
Fall Time
50ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
STB18NM80 に関連部品や代替部品はありますか？
はい。対応する製品データがある場合、このページに関連部品または代替部品が表示されることがあります。
STB18NM80 の実装方式は何ですか？
STB18NM80 の標準リードタイムはどれくらいですか？
STB18NM80 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
STB18NM80 は現在在庫がありますか？
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