STMicroelectronics_STB18NM80
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STMicroelectronics
STB18NM80

278-STB18NM80
PDFデータシート
800V N-CH MOSFET, 17A, 295mR Rds On, D2PAK
13 Weeks

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ISO45001
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Original

技術仕様

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
17A
Drain to Source Breakdown Voltage
800V
Drain to Source Resistance
295mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
800V
Drain-source On Resistance-Max
295mR
Fall Time
50ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
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FAQ

STB18NM80 は現在在庫がありますか?
はい。STB18NM80 は現在 789 個の在庫が表示されています。
STB18NM80 の実装方式は何ですか?
STB18NM80 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
STB18NM80 が対応する動作温度範囲は?
STB18NM80 に関連部品や代替部品はありますか?
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