STMicroelectronics_STB19NM65N
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STMicroelectronics
STB19NM65N

278-STB19NM65N
PDFデータシート
MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A

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技術仕様

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
15.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
270mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
650V
Fall Time
26ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
入力容量
1.9nF
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FAQ

STB19NM65N にはどの電圧仕様が記載されていますか?
STB19NM65N に記載されている電圧関連仕様は 650V です。
STB19NM65N が対応する動作温度範囲は?
STB19NM65N はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
STB19NM65N とは何ですか?
STB19NM65N は現在在庫がありますか?
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