STMicroelectronics_STB30NM50N
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STMicroelectronics
STB30NM50N

278-STB30NM50N
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MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
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技術仕様

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
27A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
115mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
500V
Fall Time
60ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
入力容量
2.74nF
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FAQ

STB30NM50N に関連部品や代替部品はありますか?
はい。対応する製品データがある場合、このページに関連部品または代替部品が表示されることがあります。
STB30NM50N の標準リードタイムはどれくらいですか?
STB30NM50N とは何ですか?
STB30NM50N が対応する動作温度範囲は?
STB30NM50N はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
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