STMicroelectronics_STB6NM60N
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STMicroelectronics
STB6NM60N

278-STB6NM60N
PDFデータシート
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK

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技術仕様

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
4.6A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
920mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
920mR
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
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FAQ

STB6NM60N に関連部品や代替部品はありますか?
はい。対応する製品データがある場合、このページに関連部品または代替部品が表示されることがあります。
STB6NM60N の実装方式は何ですか?
STB6NM60N は現在在庫がありますか?
STB6NM60N にはどの電圧仕様が記載されていますか?
STB6NM60N が対応する動作温度範囲は?
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