


STMicroelectronics
STD4NK60Z-1
278-STD4NK60Z-1
600V 4A N-CH MOSFET, 2 Ohm, IPAK, Through Hole
0 weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質技術仕様
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
4A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
2R
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
2R
Fall Time
16.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
STD4NK60Z-1 は現在在庫がありますか?
はい。STD4NK60Z-1 は現在 39 個の在庫が表示されています。
STD4NK60Z-1 の実装方式は何ですか?
STD4NK60Z-1 には数量別価格がありますか?
STD4NK60Z-1 の標準リードタイムはどれくらいですか?
STD4NK60Z-1 とは何ですか?



.png)

















.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)










