STMicroelectronics_STI19NM65N
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STMicroelectronics
STI19NM65N

285-STI19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK

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技術仕様

Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
15.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
270mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
650V
Fall Time
26ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
入力容量
1.9nF
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FAQ

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