STMicroelectronics_STP10NM60ND
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STMicroelectronics
STP10NM60ND

278-STP10NM60ND
600V 8A N-CH MOSFET TO-220 600mR FDmesh II

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
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技術仕様

Package/Case
TO-220
Continuous Drain Current (ID)
8A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
600mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
470mR
Fall Time
9.8ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
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FAQ

STP10NM60ND に関連部品や代替部品はありますか?
はい。対応する製品データがある場合、このページに関連部品または代替部品が表示されることがあります。
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STP10NM60ND が対応する動作温度範囲は?
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