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STMicroelectronics
STU11NM60ND
278-STU11NM60ND
PDFデータシート
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
600V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
入力容量
850pF
FAQ
STU11NM60ND が対応する動作温度範囲は？
STU11NM60ND の動作温度範囲は 150°C と記載されています。
STU11NM60ND に関連部品や代替部品はありますか？
STU11NM60ND はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
STU11NM60ND にはどの電圧仕様が記載されていますか？
STU11NM60ND は現在在庫がありますか？
簡単な見積もり
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