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STMicroelectronics
STU4N62K3
278-STU4N62K3
PDFデータシート
620V N-CH MOSFET, 3.8A, 2R RdsOn, IPAK
13 weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
Package/Case
TO-251
Continuous Drain Current (ID)
3.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
620V
Drain to Source Resistance
2R
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
620V
Fall Time
19ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
身長
6.9mm
FAQ
STU4N62K3 の実装方式は何ですか？
現在の製品仕様によると、STU4N62K3 の実装方式は Through Hole です。
STU4N62K3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
STU4N62K3 とは何ですか？
STU4N62K3 の標準リードタイムはどれくらいですか？
STU4N62K3 は現在在庫がありますか？
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