Taiwan Semiconductor_TSM60NE200CIT C0G
original

Taiwan Semiconductor
TSM60NE200CIT C0G

2088-TSM60NE200CIT C0G
PDFデータシート
MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
40 Weeks

選ばれる理由

プロフェッショナルなプラットフォーム

B2BおよびB2Cの購入

スピード配送

1〜2日で発送

豊富な品揃え

オリジナルメーカー

365日間の保証

責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

Unit Weight
0.054675 oz
構成
Single
Id - Continuous Drain Current
12 A
Channel Mode
Enhancement
Fall Time
3.1 ns
RoHS
RoHS Compliant
Qg - Gate Charge
30 nC
トランジスタの種類
1 N-Channel
もっと見る

FAQ

TSM60NE200CIT C0G はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
TSM60NE200CIT C0G は現在 ITO-220TL-3 パッケージ / ケースで提供されています。
TSM60NE200CIT C0G の標準リードタイムはどれくらいですか?
TSM60NE200CIT C0G の実装方式は何ですか?
TSM60NE200CIT C0G は現在在庫がありますか?
TSM60NE200CIT C0G にはどの電圧仕様が記載されていますか?
簡単な見積もり
見積依頼リストに追加

オンラインで購入できませんか?卸売価格を安くしたいですか?最適な価格を得るためにRFQを送信してください。すぐに対応いたします。

クイック見積依頼