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責任ある品質
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技術仕様
動作温度
-55℃~+175℃
タイプ
P-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
4V@250uA
Current - Continuous Drain(Id)
30A
ECCN
EAR99
Pd - Power Dissipation
135W
RDS(on)
65mΩ@10V
FAQ
RF1S30P06 とは何ですか？
RF1S30P06 は Texas Instruments の FETs, MOSFETs です。この製品ページでは、主な仕様、価格情報、在庫状況、お問い合わせ方法を確認できます。
RF1S30P06 が対応する動作温度範囲は？
RF1S30P06 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
RF1S30P06 は現在在庫がありますか？
RF1S30P06 に関連部品や代替部品はありますか？
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