Vishay / Siliconix_SI4686DY-T1-GE3
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Vishay / Siliconix
SI4686DY-T1-GE3

278-SI4686DY-T1-GE3
PDFデータシート
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
14 Weeks

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

FETタイプ
N-Channel
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1220 pF @ 15 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
26 nC @ 10 V
製品の状態
Active
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30 V
消費電力(最大)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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FAQ

SI4686DY-T1-GE3 は現在在庫がありますか?
はい。SI4686DY-T1-GE3 は現在 14206 個の在庫が表示されています。
SI4686DY-T1-GE3 が対応する動作温度範囲は?
SI4686DY-T1-GE3 とは何ですか?
SI4686DY-T1-GE3 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
SI4686DY-T1-GE3 の標準リードタイムはどれくらいですか?
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