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Vishay / Siliconix
SI4800BDY-T1-E3
278-SI4800BDY-T1-E3
PDFデータシート
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
11 Weeks
選ばれる理由
プロフェッショナルなプラットフォーム
B2BおよびB2Cの購入スピード配送
1〜2日で発送豊富な品揃え
オリジナルメーカー365日間の保証
責任ある品質
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技術仕様
FETタイプ
N-Channel
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13 nC @ 5 V
製品の状態
Active
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
30 V
消費電力(最大)
1.3W (Ta)
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FAQ
SI4800BDY-T1-E3 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
SI4800BDY-T1-E3 に記載されている電圧関連仕様は 30 V です。
SI4800BDY-T1-E3 とは何ですか？
SI4800BDY-T1-E3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
SI4800BDY-T1-E3 が対応する動作温度範囲は？
SI4800BDY-T1-E3 は現在在庫がありますか？
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