Vishay / Siliconix_SI4816BDY-T1-E3
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Vishay / Siliconix
SI4816BDY-T1-E3

289-SI4816BDY-T1-E3
PDFデータシート
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
14 Weeks

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET機能
Logic Level Gate
構成
2 N-Channel (Half Bridge)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 5V
ECCN
EAR99
取り付けタイプ
Surface Mount
製品の状態
Active
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FAQ

SI4816BDY-T1-E3 にはどの電圧仕様が記載されていますか?
SI4816BDY-T1-E3 に記載されている電圧関連仕様は 30V です。
SI4816BDY-T1-E3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
SI4816BDY-T1-E3 とは何ですか?
SI4816BDY-T1-E3 は現在在庫がありますか?
SI4816BDY-T1-E3 に関連部品や代替部品はありますか?
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