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選ばれる理由
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責任ある品質
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技術仕様
FETタイプ
P-Channel
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
製品の状態
Obsolete
サプライヤーデバイスパッケージ
1206-8 ChipFET™
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
20 V
消費電力(最大)
1.3W (Ta)
パッケージ/ケース
8-SMD, Flat Lead
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FAQ
SI5447DC-T1-E3 に関連部品や代替部品はありますか？
はい。対応する製品データがある場合、このページに関連部品または代替部品が表示されることがあります。
SI5447DC-T1-E3 が対応する動作温度範囲は？
SI5447DC-T1-E3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか？
SI5447DC-T1-E3 にはどの電圧仕様が記載されていますか？
SI5447DC-T1-E3 の実装方式は何ですか？
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