Vishay / Siliconix_SI7454DP-T1-GE3
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Vishay / Siliconix
SI7454DP-T1-GE3

278-SI7454DP-T1-GE3
PDFデータシート
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
14 Weeks

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責任ある品質
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

技術仕様

動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET機能
-
FETタイプ
N-Channel
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30 nC @ 10 V
ECCN
EAR99
取り付けタイプ
Surface Mount
製品の状態
Active
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
34mOhm @ 7.8A, 10V
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FAQ

SI7454DP-T1-GE3 の実装方式は何ですか?
現在の製品仕様によると、SI7454DP-T1-GE3 の実装方式は Surface Mount です。
SI7454DP-T1-GE3 の標準リードタイムはどれくらいですか?
SI7454DP-T1-GE3 とは何ですか?
SI7454DP-T1-GE3 が対応する動作温度範囲は?
SI7454DP-T1-GE3 はどのパッケージ / ケースで提供されていますか?
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