電界効果トランジスタ (FET) は、電界を使用して電流の流れを制御する電子デバイスです。ゲート端子に電圧を印加すると、ドレイン端子とソース端子の間の導電率が変化します。 FET はシングルキャリアタイプの動作を行うため、ユニポーラトランジスタとしても知られています。つまり、FET は動作時に電子または正孔を電荷キャリアとして使用しますが、両方を使用するわけではありません。電界効果トランジスタは一般に、低周波数で非常に高い入力インピーダンスを示します。金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) は、FET の一種です。
| 一部 # | メーカー | 説明 | 可用性 | 価格 | 量 |
|---|---|---|---|---|---|
IMT65R060M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 200 | - | |
IPP45N06S4L-08FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2 | 32519 | - | |
BSC190N12NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3 | 21369 | - | |
IPD65R1K4C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 3.2A DPAK-2 | 在庫あり | - | |
BSC057N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3 | 7185 | - | |
IPB60R600CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP | 339 | - | |
BSZ120P03NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 6681 | - | |
SPP15P10PL HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -15A TO220-3 | 529 | - | |
BSS123N H6433FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | 31134 | - | |
BSZ036NE2LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | 1463 | - | |
SPP18P06P HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -18.7A TO220-3 | 484 | - | |
IPA65R045C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | 258 | - | |
IPP111N15N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 | 460 | - | |
BSC22DN20NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3 | 2854 | - | |
BSZ097N10NS5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | 15224 | - | |
BSC018N04LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 5226 | - | |
BSB056N10NN3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3 | 5294 | - | |
IPB200N25N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 10151 | - | |
IPB60R125CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP | 在庫あり | - | |
IPP023N10N5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3 | 在庫あり | - | |
IMZC120R078M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 | 148 | - | |
BSZ100N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 16361 | - | |
BSZ100N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 3962 | - | |
IPB144N12N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 280 | - | |
IPB70N10S3L-12FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 12036 | - |